Мой регион: Россия

IGW60T120 [G60T120], Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]

Ном. номер: 9000515316
Артикул: IGW60T120 [G60T120]
PartNumber: IGW60T120FKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IGW60T120 [G60T120], Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]
Фото 2/3 IGW60T120 [G60T120], Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]Фото 3/3 IGW60T120 [G60T120], Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]
Ожидается поступление на склад г.Москва: 26 марта 2020 г. — 360 шт.
430 руб.
208 шт. со склада г.Москва
от 3 шт. — 407 руб.
от 30 шт. — 404 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
370 руб. 4 дня, 125 шт. 1 шт. 2 шт.
от 3 шт. — 350 руб.
от 6 шт. — 322 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Технические параметры

Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Вес, г
7.5

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet IGW60T120 [G60T120] IGW60T120FKSA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.