Добавить к сравнению Сравнить ()

IHW20N120R3FKSA1, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.7 В, 310 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

PartNumber: IHW20N120R3FKSA1
Ном. номер: 8088365393
Производитель: Infineon Technologies
IHW20N120R3FKSA1, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.7 В, 310 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
Доступно на заказ 1219 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
240 × = 240
от 25 шт. — 215 руб.
от 100 шт. — 199 руб.

Описание

The IHW20N120R3 is a Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode. The 3rd generation of reverse conducting IGBT has been optimized for lower switching and conduction losses. Reduced power dissipation together with soft switching behaviour allows better thermal performance and EMI behaviour resulting in lower system costs. It is suitable for rice cookers and other soft switching applications.

• Excellent performance
• Best-in-class conduction properties in VCE(sat) and Vf
• Lowest switching losses, highest efficiency
• Soft current turn-OFF waveforms for low EMI
• Lowest power dissipation
• Better thermal management
• Surge current capability
• Lower EMI filtering requirements
• Excellent quality
• Highest reliability against peak current
• Very tight parameter distribution
• High ruggedness, temperature stable behaviour
• Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
• Green product
• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
175°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
1.2кВ
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Рассеиваемая Мощность
310Вт
DC Ток Коллектора
20А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.7В

Дополнительная информация

Datasheet IHW20N120R3FKSA1