IHW20N120R3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
360 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 17 шт. —
310 руб.
от 30 шт. —
287 руб.
от 90 шт. —
274 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 720 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-247 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Infineon-IHW20N120R3-DS-v02_06-EN
pdf, 1861 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
