IKB20N65EH5ATMA1, БТИЗ транзистор, 38 А, 1.65 В, 125 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

810 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 10 шт. — 690 руб.

от 100 шт. — 546 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 3 240 руб.

Номенклатурный номер: 8000883757

Артикул: IKB20N65EH5ATMA1

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Описание Транзистор: IGBT, 650В, 25А, 62,5Вт, D2PAK Характеристики

Collector Emitter Saturation Voltage	1.65В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	38А
Power Dissipation	125Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	TRENCHSTOP 5
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.4

pdf, 1562 КБ

Мы рекомендуем