IKW15N120T2, IGBT TrenchStop NChannel

PartNumber: IKW15N120T2
Ном. номер: 8020609800
Производитель: Infineon Technologies
IKW15N120T2, IGBT TrenchStop NChannel
Доступно на заказ более 10 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
460 руб. × = 920 руб.
Цена указана за упаковку из 2
Количество товаров должно быть кратно 2 уп.
от 10 уп. — 340 руб.
от 50 уп. — 288.40 руб.

Описание

IGBT Discretes, Infineon
Infineon range of discrete IGBT's offer different technologies such as NPT, N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop. They can be used in many applications that may require hard switching and soft switching. This includes Industrial drives, UPS, Inverters, home appliances and Induction cooking. Some devices may have an anti-parallel diode or with maybe a monolithically integrated diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Semiconductors

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
30 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
235 W
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Тип корпуса
TO-247
Число контактов
3
Ширина
5.21mm
Емкость затвора
1000pF
Высота
21.1mm
Длина
16.13mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IKW15N120T2, IGBT in 2nd generation TrenchStop Technology with Soft, Fast Recovery Anti-Parallel Emitter Controlled Diode IKW15N120T2