IKW40T120, IGBT транзистор

Фото 2/3 IKW40T120, IGBT транзисторФото 3/3 IKW40T120, IGBT транзистор
Фото 1/3 IKW40T120, IGBT транзистор
3 шт. со склада г.Москва
2 010 руб.
от 2 шт.1 880 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 010 руб.
Номенклатурный номер: 9000083848
Артикул: IKW40T120
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: Infineon Technologies

Описание

IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В
Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер от 1100 до 1600 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Длина 16.13мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 75 A
Тип корпуса TO-247
Максимальное рассеяние мощности 270 Вт
Energy Rating 10.4mJ
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -40 °C
Ширина 5.21мм
Высота 21.1мм
Число контактов 3
Размеры 16.13 x 5.21 x 21.1мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V
Тип канала N
Емкость затвора 2500пФ
Вес, г 8.5

Техническая документация

Datasheet IKW40T120FKSA1
pdf, 510 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах