IKW50N60H3FKSA1 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]

Ном. номер: 9000163815
Артикул: IKW50N60H3FKSA1 (K50H603)
PartNumber: IKW50N60H3FKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IKW50N60H3FKSA1 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]
Фото 2/4 IKW50N60H3FKSA1 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]Фото 3/4 IKW50N60H3FKSA1 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]Фото 4/4 IKW50N60H3FKSA1 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]
330 руб.
1643 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 317 руб.
от 150 шт. — 314 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 330 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Технические параметры

Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Вес, г
7.5

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet IKW50N60H3FKSA1 (K50H603) IKW50N60H3FKSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.