IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]

Фото 2/4 IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]Фото 3/4 IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]Фото 4/4 IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]
Фото 1/4 IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]
326 шт. со склада г.Москва
1 760 руб.
от 15 шт.1 740 руб.
от 150 шт.1 737 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 760 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9000517635
Артикул: IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3)
PartNumber: IKY75N120CH3XKSA1
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14

Технические параметры

Технология/семейство high speed h3
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 300
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.35
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 938
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 38
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 303
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Корпус pg-to247-4-2
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 375 КБ
Datasheet IKY75N120CH3XKSA1
pdf, 1558 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах