IMW65R083M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 24 А, 650 В, 0.083 Ом, TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 020 руб.
от 5 шт. —
2 810 руб.
от 10 шт. —
2 650 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 020 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Карбид Кремния (SiC) МОП-транзистор и модули
The Infineon has SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3-pin package.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 24 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.111 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.7V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | CoolSiC |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IMW65R083M1HXKSA1
pdf, 1355 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
