IMX1T110, Dual NPN Transistor, 150 mA, 50 V, 6-Pin SMT

Фото 2/2 IMX1T110, Dual NPN Transistor, 150 mA, 50 V, 6-Pin SMT
Фото 1/2 IMX1T110, Dual NPN Transistor, 150 mA, 50 V, 6-Pin SMT
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
675 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
35 руб.
Кратность заказа 25 шт.
от 125 шт.14 руб.
от 500 шт.13 руб.
Добавить в корзину 25 шт. на сумму 875 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8329968352
Артикул: IMX1T110
Производитель: Rohm

Описание

Semiconductors
Двойные биполярные транзисторы, ROHM

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,4 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 180 MHz
Количество элементов на ИС 2
Длина 2.9мм
Максимальное напряжение коллектор-база 60 В
Transistor Configuration Изолированный
Производитель ROHM
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 50 V
Тип корпуса SMT
Максимальное рассеяние мощности 150 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 1.6мм
Максимальный пост. ток коллектора 150 mA
Тип транзистора NPN
Высота 1.1мм
Число контактов 6
Размеры 1.1 x 2.9 x 1.6мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 7 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 120
Pd - рассеивание мощности 300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № IMX1
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 120
Конфигурация Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 560
Максимальный постоянный ток коллектора 0.15 A
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 150 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 180 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия IMX1
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Base Product Number IMX1T110 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 180MHz
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-74, SOT-457
Power - Max 300mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Simulation Models http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package SMT6
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1979 КБ
Datasheet IMX1T110
pdf, 1976 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах