Мой регион: Россия

IPA037N08N3 G, MOSFET N-channel OptiMOS-

PartNumber: IPA037N08N3 G
Ном. номер: 8000000784
Производитель: Infineon Technologies
IPA037N08N3 G, MOSFET N-channel OptiMOS-
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
330 руб.
135 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 260 руб.
от 50 шт. — 211 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 1 650 руб.
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
75 A
Тип корпуса
TO-220FP
Максимальное рассеяние мощности
41 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.85мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
132s
Высота
16.15мм
Размеры
10.65 x 4.85 x 16.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.65мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
23 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
13 ns
Серия
OptiMOS 3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
6.2 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
88 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
6100 пФ при 40 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.