IPA65R110CFDXKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 700 В, 31.2 А, 0.099 Ом, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 680 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 490 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 360 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
IPA65R110CFD, SP000895230
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.099Ом |
Power Dissipation | 34.7Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | CoolMOS CFD2 |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 700В |
Непрерывный Ток Стока | 31.2А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 34.7Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.099Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet IPW65R110CFD
pdf, 3853 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов