Мой регион: Россия

IPB025N08N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 80 В, 0.002 Ом, 10 В, 2.8 В

Ном. номер: 8178789804
PartNumber: IPB025N08N3GATMA1
Производитель: Infineon Technologies
IPB025N08N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 80 В, 0.002 Ом, 10 В, 2.8 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
550 руб.
23 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 400 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
514 руб. 3-4 недели, 251 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 464 руб.
от 25 шт. — 441 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The IPB025N08N3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading benchmark OptiMOS™ technology. It is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply and power consumption applications.

• Optimized technology for DC-to-DC converters
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Superior thermal resistance
• Dual sided cooling
• Low parasitic inductance
• Normal level
• 100% avalanche tested
• Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Halogen-free, Green device

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Вес, г
2

Дополнительная информация

Datasheet IPB025N08N3GATMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.