Мой регион:
Режим цен:
Добавить к сравнению Сравнить ()

IPB039N10N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 160 А, 100 В, 0.0033 Ом, 10 В, 2.7 В

PartNumber: IPB039N10N3GATMA1
Ном. номер: 8095016997
Производитель: Infineon Technologies
IPB039N10N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 160 А, 100 В, 0.0033 Ом, 10 В, 2.7 В
Доступно на заказ 73 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
190 × = 190
от 25 шт. — 174 руб.

Описание

The IPB039N10N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.

• Excellent switching performance
• World's lowest RDS (ON)
• Very low Qg and Qgd
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Environmentally friendly
• Highest power density
• Less paralleling required
• Smallest board-space consumption
• Easy-to-design products
• Halogen-free, Green device
• MSL1 rated 2

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
175°C
Количество Выводов
7вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Рассеиваемая Мощность
214Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Непрерывный Ток Стока
160А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0033Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.7В

Дополнительная информация

Datasheet IPB039N10N3GATMA1