Добавить к сравнению Сравнить ()

IPB065N03LGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 30 В, 0.0054 Ом, 10 В, 1 В

PartNumber: IPB065N03LGATMA1
Ном. номер: 8045047967
Производитель: Infineon Technologies
IPB065N03LGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 30 В, 0.0054 Ом, 10 В, 1 В
Доступно на заказ 304 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
48 × = 48
от 25 шт. — 44 руб.
от 100 шт. — 41 руб.

Описание

The IPB065N03L G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life.

• Easy to design in
• Increased battery lifetime
• Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
• Saving space
• Reducing power losses
• Optimized technology for DC-to-DC converters
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Logic level
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Very low ON-resistance RDS (ON)
• Avalanche rated
• Halogen-free, Green device

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
175°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Рассеиваемая Мощность
56Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
50А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0054Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet IPB065N03LGATMA1