Мой регион: Россия

IPB081N06L3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 60 В, 0.0067 Ом, 10 В, 1.7 В

Ном. номер: 8144836512
PartNumber: IPB081N06L3GATMA1
Производитель: Infineon Technologies
IPB081N06L3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 60 В, 0.0067 Ом, 10 В, 1.7 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
170 руб.
1226 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 131 руб.
от 100 шт. — 97 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 170 руб.

The IPB081N06L3 G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.

• Highest system efficiency
• Less paralleling required
• Increased power density
• Very low voltage overshoot
• Superior thermal resistance

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Вес, г
4.536

Дополнительная информация

Datasheet IPB081N06L3GATMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.