Мой регион: Россия

IPB083N10N3 G, MOSFET N-Channel 100V 80A

PartNumber: IPB083N10N3 G
Ном. номер: 8000005832
Производитель: Infineon Technologies
IPB083N10N3 G, MOSFET N-Channel 100V 80A
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
160 руб.
3216 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 80 шт. — 110 руб.
от 400 шт. — 78 руб.
Кратность заказа 8 шт.
Добавить в корзину 8 шт. на сумму 1 280 руб.
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
125 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.45мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
89s
Высота
4.57мм
Размеры
10.31 x 9.45 x 4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.31мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
18 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
31 ns
Серия
OptiMOS 3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
15,1 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
42 нКл
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2990 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.