IPB108N15N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 83 А, 150 В, 0.0091 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: IPB108N15N3GATMA1
Ном. номер: 8041833780
Производитель: Infineon Technologies
IPB108N15N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 83 А, 150 В, 0.0091 Ом, 10 В, 3 В
Доступно на заказ 1002 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
310 руб. × = 310 руб.
от 25 шт. — 274 руб.
от 100 шт. — 237 руб.


The IPB108N15N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It achieves a reduction in RDS (ON) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.

• World's lowest RDS (ON)
• Very low Qg and Qgd
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• MSL1 rated 2
• Environmentally friendly
• Highest power density
• Less paralleling required
• Smallest board-space consumption
• Easy-to-design products
• Normal level
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Halogen-free, Green device

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet IPB108N15N3GATMA1