IPB50R199CPATMA1, N-Channel MOSFET, 17 A, 550 V, 3-Pin D2PAK

Фото 2/2 IPB50R199CPATMA1, N-Channel MOSFET, 17 A, 550 V, 3-Pin D2PAK
Фото 1/2 IPB50R199CPATMA1, N-Channel MOSFET, 17 A, 550 V, 3-Pin D2PAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
125 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
420 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт.350 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 2 100 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8698237871
Артикул: IPB50R199CPATMA1
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Semiconductors
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CP

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 17 А
Тип корпуса D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности 139 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 9.45мм
Высота 4.572мм
Размеры 10.312 x 9.45 x 4.572мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.31мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 35 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 80 нс
Серия CoolMOS CP
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage 2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток 199 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 550 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 34 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1800 пФ при 100 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки 17 A
Pd - рассеивание мощности 139 W
Qg - заряд затвора 45 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 14 ns
Время спада 10 ns
Другие названия товара № IPB50R199CP IPB5R199CPXT SP000236092
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение CoolMOS
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки при включении 35 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок TO-263-3
Вес, г 1.8

Техническая документация

Datasheet
pdf, 551 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах