IPB64N25S320ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 250 В, 64 А, 0.0175 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 920 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 850 руб.
от 10 шт. —
1 730 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 840 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
IPB64N25S3-20, SP000876596
• OptiMOS® -T power transistor
• N-channel enhancement mode
• AEC qualified
• 175°C operating temperature
• 100% avalanche tested
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0175Ом |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS T |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 250В |
| Непрерывный Ток Стока | 64А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 300Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0175Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 64 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | IPB64N25S3-20 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Width | 10.25mm |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 202 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
