IPB65R095C7ATMA2, MOSFET HIGH POWER_NEW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 710 руб.
от 10 шт. —
1 410 руб.
от 25 шт. —
1 290 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 710 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Силовые транзисторы CoolMOS ™ В силовых транзисторах Infineon CoolMOS ™ используется революционная технология CoolMOS ™ для высоковольтных полевых МОП-транзисторов, разработанная по принципу суперперехода (SJ) и впервые разработанная Infineon. Силовые транзисторы CoolMOS ™ C6 и E6 сочетают в себе опыт ведущего поставщика полевых МОП-транзисторов SJ с первоклассными инновациями. Полученные в результате устройства обеспечивают все преимущества быстродействующего полевого МОП-транзистора SJ, не жертвуя при этом простотой использования. Чрезвычайно низкие коммутационные потери и потери проводимости делают коммутационные устройства еще более эффективными, компактными, легкими и холодными.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | IPB65R095C7 SP002447562 |
| Pd - Power Dissipation: | 128 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 45 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 84 mOhms |
| Rise Time: | 12 ns |
| Series: | CoolMOS C7 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | CoolMOS |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.084Ом |
| Power Dissipation | 128Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS C7 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 24А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 128Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.084Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Maximum Continuous Drain Current | 24 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 95 mO |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 3.95 |
Техническая документация
Datasheet IPB65R095C7ATMA2
pdf, 1758 КБ
Datasheet IPB65R095C7ATMA2
pdf, 1697 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
