IPD14N06S280ATMA2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 55 В, 17 А, 0.05 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
от 100 шт. —
165 руб.
Добавить в корзину 11 шт.
на сумму 2 640 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The Infineon range of OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.05Ом |
| Power Dissipation | 47Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
| Непрерывный Ток Стока | 17А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 47Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.05Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.08 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-252 |
| Pin Count | 3 |
| Series | OptiMOS |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 0.68 |
Техническая документация
Datasheet IPD14N06S280ATMA2
pdf, 147 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
