IPD50N06S2L13ATMA2, N-Channel MOSFET, 50 A, 55 V, 3-Pin DPAK IPD50N06S2L13ATMA2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
210 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
Добавить в корзину 2500 шт.
на сумму 525 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
This Infineon OptiMOS MOSFET provides high current capability, and Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0127 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | OptiMOS |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Part # Aliases: | IPD50N06S2L-13 SP001063626 |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 69 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.7 mOhms |
| Rise Time: | 29 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0102Ом |
| Power Dissipation | 136Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
| Непрерывный Ток Стока | 50А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Рассеиваемая Мощность | 136Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0102Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IPD50N06S2L13ATMA2
pdf, 147 КБ
Datasheet IPD50N06S2L13ATMA2
pdf, 148 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
