IPD50N06S409ATMA2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 50 А, 0.0071 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
350 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
320 руб.
от 100 шт. —
236 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 800 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
IPD50N06S4-09, SP001028662
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0071Ом |
Power Dissipation | 71Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | OptiMOS T2 |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 50А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 71Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0071Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.009 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | OptiMOS |
Transistor Material | Si |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet IPD50N06S409ATMA2
pdf, 164 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов