Добавить к сравнению Сравнить ()

IPD50R380CEATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 9.9 А, 500 В, 0.35 Ом, 13 В, 3 В

PartNumber: IPD50R380CEATMA1
Ном. номер: 8034496711
Производитель: Infineon Technologies
IPD50R380CEATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 9.9 А, 500 В, 0.35 Ом, 13 В, 3 В
Доступно на заказ 1213 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
90 × = 90
от 25 шт. — 79 руб.
от 100 шт. — 61 руб.

Описание

The IPD50R380CE is a CoolMOS™ N-channel CE Power MOSFET optimized to meet highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching Super-junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.

• Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
• High body diode ruggedness
• Reduced reverse recovery charge (Qrr)
• Reduced gate charge (Qg)
• Easy control of switching behaviour
• Cost attractive alternative compared to standard MOSFETs
• Outstanding quality and reliability of CoolMOS™ technology
• Extremely low losses due to very low FOM Rison Qg and Eoss
• Very high commutation ruggedness
• Easy to use/drive
• Halogen-free
• Qualified for standard grade applications

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Рассеиваемая Мощность
73Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
500В
Непрерывный Ток Стока
9.9А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.35Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
13В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet IPD50R380CEATMA1