Мой регион: Россия

IPD530N15N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 150 В, 0.044 Ом, 10 В, 3 В

Ном. номер: 8164047374
PartNumber: IPD530N15N3GATMA1
Производитель: Infineon Technologies
IPD530N15N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 150 В, 0.044 Ом, 10 В, 3 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
170 руб.
3204 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 127 руб.
от 100 шт. — 93 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
139 руб. 3-4 недели, 2060 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 121 руб.
от 25 шт. — 120 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The IPD530N15N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It achieves a reduction in RDS (ON) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor.

• Excellent switching performance
• World's lowest RDS (ON)
• Very low Qg and Qgd
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Halogen-free, Green device
• Environmentally friendly
• Increased efficiency
• Highest power density
• Less paralleling required
• Smallest board-space consumption
• Easy-to-design products
• Normal level
• Qualified according to JEDEC for target application

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Вес, г
1.81

Дополнительная информация

Datasheet IPD530N15N3GATMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.