IPD60R380P6ATMA1, N-Channel MOSFET, 10.6 A, 650 V, 3-Pin DPAK

Фото 2/3 IPD60R380P6ATMA1, N-Channel MOSFET, 10.6 A, 650 V, 3-Pin DPAKФото 3/3 IPD60R380P6ATMA1, N-Channel MOSFET, 10.6 A, 650 V, 3-Pin DPAK
Фото 1/3 IPD60R380P6ATMA1, N-Channel MOSFET, 10.6 A, 650 V, 3-Pin DPAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2365 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
280 руб.
140 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 700 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8000002159
Артикул: IPD60R380P6ATMA1
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Semiconductors
Силовые МОП-транзисторы серии Infineon CoolMOS ™ E6 / P6
Серия Infineon МОП-транзисторов серии CoolMOS ™ E6 и P6. Эти высокоэффективные устройства могут использоваться в нескольких приложениях, включая коррекцию коэффициента мощности (PFC), осветительные и потребительские устройства, а также солнечные батареи, телекоммуникации и серверы.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 6.73мм
Brand Infineon
Maximum Continuous Drain Current 10,6 А
Package Type DPAK (TO-252)
Maximum Power Dissipation 83 Вт
Серия CoolMOS P6
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 6.22мм
Maximum Gate Threshold Voltage 4.5V
Высота 2.41мм
Minimum Gate Threshold Voltage 3.5V
Maximum Drain Source Resistance 380 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 650 V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 19 nC @ 10 V
Channel Mode Поднятие
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -30 В, +30 В
Forward Diode Voltage 0.9V
Id - непрерывный ток утечки 10.6 A
Pd - рассеивание мощности 31 W
Qg - заряд затвора 19 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 380 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 6 ns
Время спада 7 ns
Длина 6.5 mm
Другие названия товара № IPD60R380P6 SP001135814
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение CoolMOS
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 33 ns
Типичное время задержки при включении 12 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок TO-252-3
Ширина 6.22 mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet IPD60R380P6ATMA1
pdf, 2876 КБ
Datasheet
pdf, 2523 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах