Мой регион: Россия

IPD60R800CEAUMA1, MOSFET N-Ch 600V 8.4A Coo

PartNumber: IPD60R800CEAUMA1
Ном. номер: 8000002161
Производитель: Infineon Technologies
IPD60R800CEAUMA1, MOSFET N-Ch 600V 8.4A Coo
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
62 руб.
1450 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 125 шт. — 38 руб.
от 500 шт. — 30 руб.
Кратность заказа 25 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
66 руб. 2-3 недели, 2725 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 61 руб.
от 100 шт. — 38 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
8.4 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
74 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.41мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.41мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Типичное время задержки включения
9 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
50 ns
Серия
CoolMOS CE
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
800 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
17,2 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
373 пФ при 100 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Прямое напряжение диода
0.9V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.