IPD60R950C6ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 5.7 А, 0.68 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
390 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
350 руб.
от 100 шт. —
258 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 2 730 руб.
Описание
The Infineon CoolMOS C6 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered.
Технические параметры
| Maximum Continuous Drain Current | 4.4 A |
| Package Type | PG-TO252 |
| Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1206 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
