IPD65R600E6ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 700 В, 7.3 А, 0.54 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

IPD65R600E6ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 700 В, 7.3 А, 0.54 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
460 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт.410 руб.
от 100 шт.306 руб.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 2 760 руб.
Номенклатурный номер: 8001622433
Артикул: IPD65R600E6ATMA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.54Ом
Power Dissipation 63Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 700В
Непрерывный Ток Стока 7.3А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 63Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.54Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.3

Техническая документация

Datasheet IPD65R600E6ATMA1
pdf, 1168 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов