IPD65R660CFDAATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 6 А, 0.594 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
620 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
550 руб.
от 100 шт. —
423 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 3 100 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The Infineon CoolMOS MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.594Ом |
| Power Dissipation | 62.5Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS CFDA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 6А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 62.5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.594Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-252 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.68 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1100 КБ
Datasheet IPD65R660CFDAATMA1
pdf, 1164 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
