Мой регион: Россия

IPD80R450P7ATMA1, MOSFET N-CH 800V 11A COOLMOS P7 TO-252

Ном. номер: 8000002164
PartNumber: IPD80R450P7ATMA1
Производитель: Infineon Technologies
IPD80R450P7ATMA1, MOSFET N-CH 800V 11A COOLMOS P7 TO-252
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
240 руб.
594 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
91 руб. 163 шт. 1 шт. 44 шт.
от 76 шт. — 80 руб.
178 руб. 3-4 недели, 1719 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 132 руб.
от 25 шт. — 119 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Infineon CoolMOS™P7 Power MOSFET
The 800V CoolMOS P7 Power MOSFET family establishes even higher efficiency and thermal performance. Suitable applications are power adapters, LED lighting, audio, industrial and auxiliary power.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
73 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.41мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.41мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
40 нс
Серия
CoolMOS P7
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
450 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
770 пФ при 500 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Прямое напряжение диода
0.9V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.