Мой регион: Россия

IPG20N06S4L-26, MOSFET N-CHANNEL 60V 20A OPTIMOS TDSON8

Ном. номер: 8000011662
PartNumber: IPG20N06S4L-26
Производитель: Infineon Technologies
IPG20N06S4L-26, MOSFET N-CHANNEL 60V 20A OPTIMOS TDSON8
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
82 руб.
23280 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 200 шт. — 54 руб.
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 1 640 руб.
В кредит от 0 руб./мес

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
20 A
Тип корпуса
TDSON
Максимальное рассеяние мощности
33 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5.9мм
Высота
1.5мм
Размеры
5.15 x 5.9 x 0.75мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5.15мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
5 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
18 нс
Серия
OptiMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Максимальное сопротивление сток-исток
46 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1100 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Прямое напряжение диода
1.3V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.