IPG20N10S4L35ATMA1, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 20 А, 0.029 Ом, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
320 руб.
от 100 шт. —
240 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 960 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
The Infineon offers a wide range of 75V-100V N-channel automotive qualified power MOSFETs using the new OptiMOS technology in various packages a RDS(on) range from 1.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.035 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 16V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Pin Count | 8 |
| Series | OptiMOS |
| Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 142 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
