IPL60R650P6SATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 6.7 А, 0.59 Ом, TSON, Surface Mount

Фото 2/3 IPL60R650P6SATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 6.7 А, 0.59 Ом, TSON, Surface MountФото 3/3 IPL60R650P6SATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 6.7 А, 0.59 Ом, TSON, Surface Mount
Фото 1/3 IPL60R650P6SATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 6.7 А, 0.59 Ом, TSON, Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1641 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
360 руб.
от 10 шт.287 руб.
от 100 шт.216 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 360 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8044426681
Артикул: IPL60R650P6SATMA1
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Trans MOSFET N-CH 600V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
Корпус PGTSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 650 мОм

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора TSON
Рассеиваемая Мощность 56.8Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 600в
Непрерывный Ток Стока 6.7А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.59Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции CoolMOS P6 Series
Transistor Mounting Surface Mount
Id - непрерывный ток утечки 6.7 A
Pd - рассеивание мощности 56.8 W
Qg - заряд затвора 12 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 650 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 7 ns
Время спада 14 ns
Высота 1.1 mm
Длина 6 mm
Другие названия товара № IPL60R650P6S SP001163080
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение CoolMOS
Конфигурация Single
Минимальная рабочая температура 40 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 5000
Серия CoolMOS P6
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 33 ns
Типичное время задержки при включении 11 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок ThinPAK-56-8
Ширина 5 mm
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 6.7A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 56.8W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 650mО© @ 2.4A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600V
Vgs - Gate-Source Voltage 4.5V @ 200uA
Вес, г 0.43

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах