Мой регион: Россия

IPN50R950CEATMA1, MOSFET N-Ch 500V 6.6A Coo

PartNumber: IPN50R950CEATMA1
Ном. номер: 8000002172
Производитель: Infineon Technologies
IPN50R950CEATMA1, MOSFET N-Ch 500V 6.6A Coo
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
34 руб.
2475 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 125 шт. — 23 руб.
от 500 шт. — 21 руб.
Кратность заказа 25 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
45 руб. 3-4 недели, 2213 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 37.90 руб.
от 25 шт. — 37.70 руб.
45 руб. 2-3 недели, 505 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 42 руб.
от 100 шт. — 24 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
6,6 A
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.7мм
Высота
1.7мм
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.7мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Типичное время задержки включения
7 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
25 ns
Серия
CoolMOS CE
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
950 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
550 В
Число контактов
3+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
10.5 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
231 пФ при 100 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Прямое напряжение диода
0.83V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.