Мой регион: Россия

IPN60R1K0CEATMA1, MOSFET N-Ch 600V 11A Cool

PartNumber: IPN60R1K0CEATMA1
Ном. номер: 8000002173
Производитель: Infineon Technologies
IPN60R1K0CEATMA1, MOSFET N-Ch 600V 11A Cool
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
48 руб.
1750 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 125 шт. — 33 руб.
от 500 шт. — 30 руб.
Кратность заказа 25 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
18.50 руб. 3-4 недели, 27000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
от 6000 шт. — 18.40 руб.
от 12000 шт. — 17.90 руб.
56 руб. 2-3 недели, 1475 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 49 руб.
от 100 шт. — 29 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
6.8 A
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.7мм
Высота
1.7мм
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.7мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
60 нс
Серия
CoolMOS CE
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Число контактов
3+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
280 пФ при 100 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Прямое напряжение диода
0.9V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.