IPN60R360PFD7SATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 10 А, 0.303 Ом, SOT-223, Surface Mount

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
350 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
310 руб.
от 100 шт. —
237 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 800 руб.
Номенклатурный номер: 8004081703
Артикул: IPN60R360PFD7SATMA1
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
МОП-транзистор CONSUMER
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
Pd - рассеивание мощности | 7 W |
Qg - заряд затвора | 12.7 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 360 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | IPN60R360PFD7S SP004038250 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | SOT-223-3 |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet IPN60R360PFD7SATMA1
pdf, 709 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов