IPN60R360PFD7SATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 10 А, 0.303 Ом, SOT-223, Surface Mount

IPN60R360PFD7SATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 10 А, 0.303 Ом, SOT-223, Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
350 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт.310 руб.
от 100 шт.237 руб.
Добавить в корзину 8 шт. на сумму 2 800 руб.
Номенклатурный номер: 8004081703
Артикул: IPN60R360PFD7SATMA1
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

МОП-транзистор CONSUMER

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 10 A
Pd - рассеивание мощности 7 W
Qg - заряд затвора 12.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 360 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № IPN60R360PFD7S SP004038250
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 40 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок SOT-223-3
Вес, г 0.01

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов