Мой регион: Россия

IPN65R1K5CEATMA1, MOSFET N-CH 650V 9.2A COOLMOS CE SOT-223

Ном. номер: 8000002176
PartNumber: IPN65R1K5CEATMA1
Производитель: Infineon Technologies
IPN65R1K5CEATMA1, MOSFET N-CH 650V 9.2A COOLMOS CE SOT-223
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
28 руб.
2275 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 25 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
19.20 руб. 3-4 недели, 3000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
58 руб. 3-4 недели, 2528 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 51.10 руб.
от 100 шт. — 39.20 руб.
52 руб. 2-3 недели, 2825 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 46 руб.
от 100 шт. — 27 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
5.2 A
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.7мм
Высота
1.7мм
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.7мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Типичное время задержки включения
7,7 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
33 ns
Серия
CoolMOS CE
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
1.5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
700 В
Число контактов
3+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
10.5 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
225 пФ при 100 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Прямое напряжение диода
0.9V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.