IPN70R1K2P7SATMA1, Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 180 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.2 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Series | CoolMOS |
| Transistor Material | Silicon |
| Drain Source On State Resistance | 0.98Ом |
| Power Dissipation | 6.3Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 700В |
| Непрерывный Ток Стока | 4.5А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 6.3Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.98Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IPN70R1K2P7SATMA1
pdf, 1022 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
