IPP17N25S3100AKSA1, N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V, 3 + Tab-Pin TO-220

Фото 2/4 IPP17N25S3100AKSA1, N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V, 3 + Tab-Pin TO-220Фото 3/4 IPP17N25S3100AKSA1, N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V, 3 + Tab-Pin TO-220Фото 4/4 IPP17N25S3100AKSA1, N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V, 3 + Tab-Pin TO-220
Фото 1/4 IPP17N25S3100AKSA1, N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V, 3 + Tab-Pin TO-220
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
420 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
270 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 2 700 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8004022070
Артикул: IPP17N25S3100AKSA1
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Semiconductors
МОП-транзистор N-Ch 250V 17A TO220-3

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Количество элементов на ИС 1
Length 10мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand Infineon
Максимальный непрерывный ток стока 17 А
Package Type TO-220
Maximum Power Dissipation 107 Вт
Серия IPP17N25S3-100
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Width 4.4мм
Максимальное пороговое напряжение включения 4V
Height 15.65мм
Минимальное пороговое напряжение включения 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 100 мΩ
Maximum Drain Source Voltage 250 В
Pin Count 3 + Tab
Типичный заряд затвора при Vgs 14 нКл при 10 В
Channel Mode Поднятие
Тип канала N
Maximum Gate Source Voltage 20 В
Прямое напряжение диода 1.3V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Number of Elements per Chip 1
Тип корпуса TO-220
Series IPP17N25S3-100
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное напряжение сток-исток 250 В
Число контактов 3 + Tab
Typical Gate Charge @ Vgs 14 нКл при 10 В
Максимальное напряжение затвор-исток 20 V
Forward Diode Voltage 1.3V
Id - непрерывный ток утечки 17 A
Pd - рассеивание мощности 107 W
Qg - заряд затвора 19 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 85 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 250 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 3.7 ns
Время спада 1.2 ns
Высота 15.65 mm
Длина 10 mm
Другие названия товара № IPP17N25S3-100 SP001025116
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Квалификация AEC-Q101
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 500
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 7.5 ns
Типичное время задержки при включении 4.4 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.4 mm
Base Product Number IPP17N25 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 17A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 54ВµA

Техническая документация

Datasheet
pdf, 203 КБ
Datasheet
pdf, 207 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах