IPP530N15N3 G, MOSFET N-Channel 150V 21A

PartNumber: IPP530N15N3 G
Ном. номер: 8060273418
Производитель: Infineon Technologies
IPP530N15N3 G, MOSFET N-Channel 150V 21A
Доступно на заказ 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
130 руб. × = 1 300 руб.
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.

Описание

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Semiconductors

Технические параметры

Категория
Мощный транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.36 x 4.57 x 15.95
Максимальный непрерывный ток стока
21 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.053 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
150 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
68 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
8.7 nC@ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
667 пФ при 75 В
Типичное время задержки выключения
13 ns
Типичное время задержки включения
9 нс
Ширина
4.57mm
Прямое напряжение диода
1.2V
Прямая активная межэлектродная проводимость
21s
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
15.95mm
Длина
10.36
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия

Дополнительная информация

IPB530N15N3 G IPD530N15N3 G, IPI530N15N3 G IPP530N15N3 G, OptiMOS3 Power-Transistor IPP530N15N3 G