IPP60R070CFD7XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 31 А, 0.057 Ом, TO-220, Through Hole
1 970 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 880 руб.
от 10 шт. —
1 740 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 940 руб.
Описание
MOSFET, N-CH, 600V, 31A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.057ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:156W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:CoolMOS CFD7 Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 31A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2721pF @ 400V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 156W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 15.1A, 10V |
Series | CoolMOSв(ў CFD7 |
Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 760ВµA |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IPP60R070CFD7XKSA1
pdf, 1725 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов