IPP60R070CFD7XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 31 А, 0.057 Ом, TO-220, Through Hole

1 970 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.1 880 руб.
от 10 шт.1 740 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 3 940 руб.
Номенклатурный номер: 8766749875
Артикул: IPP60R070CFD7XKSA1

Описание

MOSFET, N-CH, 600V, 31A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.057ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:156W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:CoolMOS CFD7 Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 31A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2721pF @ 400V
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 156W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 15.1A, 10V
Series CoolMOSв(ў CFD7
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 760ВµA
Вес, г 1

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов