IPP60R090CFD7XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 25 А, 0.075 Ом, TO-220, Through Hole

Фото 2/2 IPP60R090CFD7XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 25 А, 0.075 Ом, TO-220, Through Hole
Фото 1/2 IPP60R090CFD7XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 25 А, 0.075 Ом, TO-220, Through Hole
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
251 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
1 110 руб.
от 10 шт.855 руб.
от 100 шт.740 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 110 руб.
Номенклатурный номер: 8000587527
Артикул: IPP60R090CFD7XKSA1
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора to-220
Рассеиваемая Мощность 125Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 600в
Непрерывный Ток Стока 25А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.075Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции CoolMOS CFD7 Series
Transistor Mounting Through Hole
Id - непрерывный ток утечки 25 A
Pd - рассеивание мощности 125 W
Qg - заряд затвора 51 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 90 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 17 ns
Время спада 6 ns
Другие названия товара № IPP60R090CFD7 SP001686050
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 500
Серия CoolMOS CFD7
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 88 ns
Типичное время задержки при включении 33 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Base Product Number IPP60R090 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2103pF @ 400V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 11.4A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series OptiMOSв„ў ->
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 570ВµA
Вес, г 0.426

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1725 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах