IPP60R105CFD7XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 21 А, 0.089 Ом, TO-220, Through Hole

Фото 2/2 IPP60R105CFD7XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 21 А, 0.089 Ом, TO-220, Through Hole
Фото 1/2 IPP60R105CFD7XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 21 А, 0.089 Ом, TO-220, Through Hole
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
510 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
1 040 руб.
от 10 шт.794 руб.
от 100 шт.689 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 040 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8000598374
Артикул: IPP60R105CFD7XKSA1
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора to-220
Рассеиваемая Мощность 106Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 600в
Непрерывный Ток Стока 21А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.089Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции CoolMOS CFD7 Series
Transistor Mounting Through Hole
Id - непрерывный ток утечки 21 A
Pd - рассеивание мощности 106 W
Qg - заряд затвора 42 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 105 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 17 ns
Время спада 8 ns
Другие названия товара № IPP60R105CFD7 SP001715624
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 500
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 94 ns
Типичное время задержки при включении 25 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Base Product Number IPP60R105 ->
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Package Tube
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Вес, г 0.426

Техническая документация

Datasheet
pdf, 277 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах