Мой регион: Россия

IPS65R1K5CEAKMA1, MOSFET N-Ch 650V 5.2A Coo

PartNumber: IPS65R1K5CEAKMA1
Ном. номер: 8000002182
Производитель: Infineon Technologies
IPS65R1K5CEAKMA1, MOSFET N-Ch 650V 5.2A Coo
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
54 руб.
1350 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 125 шт. — 34 руб.
от 500 шт. — 26 руб.
Кратность заказа 25 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
49 руб. 2-3 недели, 345 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 46 руб.
от 100 шт. — 28 руб.
36 руб. 3-4 недели, 1497 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 32.20 руб.
от 100 шт. — 25.40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
5.4 A
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности
5 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
2.4мм
Высота
6.22мм
Размеры
6.73 x 2.4 x 6.22мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Типичное время задержки включения
7,7 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
33 ns
Серия
CoolMOS CE
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
1.5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
700 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
10.5 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
225 пФ при 100 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Прямое напряжение диода
0.9V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.