IPW60R018CFD7XKSA1, MOSFET HIGH POWER_NEW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 650 руб.
от 10 шт. —
4 510 руб.
от 25 шт. —
3 890 руб.
от 50 шт. —
3 611.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 650 руб.
Описание
N-Channel 101A (Tc)
Технические параметры
| Base Product Number | IPW60R018 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 101A (Tc) |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Package | Tube |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | CoolMOSв„ў -> |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.015Ом |
| Power Dissipation | 416Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS CFD7 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 101А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 416Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.015Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Вес, г | 6.065 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 277 КБ
Datasheet IPW60R018CFD7XKSA1
pdf, 1179 КБ
