IPW60R125CFD7XKSA1, MOSFET HIGH POWER_NEW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 540 руб.
от 10 шт. —
1 300 руб.
от 25 шт. —
1 100 руб.
от 100 шт. —
874.51 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 540 руб.
Описание
The Infineon CoolMOS Series is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.104Ом |
| Power Dissipation | 92Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS CFD7 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 18А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 92Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.104Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.125 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | CoolMOS CFD7 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IPW60R125CFD7XKSA1
pdf, 1329 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
