Мой регион: Россия

IPW60R190P6, MOSFET NChannel 650V 20.2

PartNumber: IPW60R190P6
Ном. номер: 8000000790
Производитель: Infineon Technologies
IPW60R190P6, MOSFET NChannel 650V 20.2
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
310 руб.
250 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 220 руб.
от 250 шт. — 168 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 1 550 руб.
Infineon CoolMOS™E6/P6 series Power MOSFET
The <B>Infineon</B> range of CoolMOS<sup>™</sup>E6 and P6 series MOSFETs. These highly efficient devices can be used in several applications including Power Factor Correction (PFC), lighting and consumer devices as well as solar, telecoms and servers.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
20 A
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
151 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.21мм
Высота
21.1мм
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
16.13мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
45 ns
Серия
CoolMOS P6
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
190 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
37 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1750 пФ при 100 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Прямое напряжение диода
0.9V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.