IPW65R037C6FKSA1, MOSFET

Фото 2/4 IPW65R037C6FKSA1, MOSFETФото 3/4 IPW65R037C6FKSA1, MOSFETФото 4/4 IPW65R037C6FKSA1, MOSFET
Фото 1/4 IPW65R037C6FKSA1, MOSFET
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
1 990 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 990 руб.
Номенклатурный номер: 8660668987
Артикул: IPW65R037C6FKSA1
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Semiconductors
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C6 / C7

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 83 A
Тип корпуса TO-247
Максимальное рассеяние мощности 500 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5.21мм
Высота 21.1мм
Размеры 16.13 x 5.21 x 21.1мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 16.13мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 22 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 140 нс
Серия CoolMOS C6
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage 2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток 37 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 700 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 330 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 7240 пФ при 100 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V
Прямое напряжение диода 0.85V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Continuous Drain Current 83 A
Maximum Power Dissipation 500 Вт
Height 21.1мм
Transistor Material Кремний
Length 16.13мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand Infineon
Series CoolMOS C6
Minimum Operating Temperature -55 °C
Maximum Drain Source Voltage 700 В
Channel Mode Поднятие
Maximum Gate Source Voltage -30 В, +30 В
Forward Diode Voltage 0.85V
Id - непрерывный ток утечки 83.2 A
Pd - рассеивание мощности 500 W
Qg - заряд затвора 330 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 33 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 32 ns
Время спада 7 ns
Другие названия товара № IPW65R037C6 SP000756284
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение CoolMOS
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 240
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки при включении 22 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Base Product Number IPW65R037 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 83.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7240pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 33.1A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package PG-TO247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 3.3mA
Вес, г 8

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1142 КБ
Datasheet IPW65R037C6FKSA1
pdf, 1142 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах